積層セラミックコンデンサの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344213
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196351
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 Niメッキ層の厚みのバラツキが少なく、均一な厚みを得ることができる積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。【構成】本発明によれば、内部電極2a、2b、誘電体層1が交互に積層され、焼結された積層体10の端部に、Ag系導体膜の下地膜31、Niメッキ中間層32、外部メッキ層33から成る端子電極3a、3bを形成した積層セラミックコンデンサの製造方法であり、前記Niメッキ中間層32を形成するにあたり、Niメッキ液に、=C-SO2 -構造を有する有機化合物を添加した。

請求項（抜粋）：

内部電極層、誘電体層が交互に積層され、焼結された積層体の端部に、端子電極としてAg系導体材料を塗布・焼き付けを行い、さらに、Ag系導体膜上にNiメッキ液でメッキ処理してNi中間層を形成し、さらに、Niメッキ層上に外部メッキ層を形成した積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記Niメッキ液に、=C-SO2 -構造を有する有機化合物を添加して、Niメッキ層を形成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01G 4/12 361 , H01G 4/12 364 , C25D 3/12 , C25D 5/12

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