特許
J-GLOBAL ID：200903048481226471
イオン注入方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-101924
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298247
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】【構成】イオン源から放出したイオンを所望のイオン注入領域と略相似形の開口を有するマスクに通過させてパターンイオンビームを形成し、このイオンビームをレジストが塗布されてないウェハの所望の領域に投射して、イオンを導入するイオン注入方法。【効果】本発明によるイオン注入方法により、イオン注入工程前後のレジスト工程が不要となり、半導体装置の製造工程数が削減できる。
請求項（抜粋）：
ドーパントイオンを放出するイオン源から引出したイオンビームを、開口パターンを有するステンシルマスクに照射し、上記開口パターンを通過したパターンイオンビームをイオン投射光学系によって試料に投射することで、上記試料にイオン注入領域を形成することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (4件)：
H01L 21/266
, C23C 14/48
, H01J 37/317
, H01L 21/265
H01L 21/265 M
, C23C 14/48 Z
, H01J 37/317 Z
, H01L 21/265 D
