特許

J-GLOBAL ID：200903048491131606

半導体装置の製造方法

発明者： 和田 敦夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286731
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100673
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 凹部形状が生じない良好な形状を有する素子分離領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に素子分離形成領域が開口された酸化防止膜3及び下地絶縁膜2を形成した後、酸化防止膜3を酸化防止マスクにして半導体基板1を熱酸化して、酸化防止膜3の端部下にバーズビーク部4aを有する酸化膜4を形成する。その後、酸化防止膜3をエッチングマスクにして、酸化膜4をエッチングした後、引き続き半導体基板1を所望の深さまでエッチングして分離溝5を形成する。このとき、酸化防止膜3の端部下には、酸化膜4のバーズビーク部4aが残存する。その後、半導体基板1上に絶縁膜を堆積した後、酸化防止膜3上の不要な絶縁膜を除去することによって、分離溝5内に分離用絶縁膜を埋め込んでトレンチ型の素子分離領域を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下地絶縁膜を形成する工程(a)と、前記下地絶縁膜上に酸化防止用膜を形成する工程(b)と、前記酸化防止用膜をパターニングして、素子分離形成領域上に開口部が形成された酸化防止膜を形成する工程(c)と、前記酸化防止膜を酸化防止マスクにして、前記半導体基板を熱酸化法による選択酸化を行い、前記酸化防止マスクの端部下にバーズビーク部を有する酸化膜を形成する工程(d)と、前記工程(d)の後に、前記酸化防止膜をエッチングマスクにして、異方性ドライエッチングにより前記酸化膜のエッチングを行い、前記エッチングマスクの端部下のみに前記酸化膜のバーズビーク部を残置させる工程(e)と、前記工程(e)の後に、前記酸化防止膜をエッチングマスクにして、異方性ドライエッチングにより前記半導体基板を所定の深さまでエッチングして分離溝を形成する工程(f)と、前記工程(f)の後に、前記半導体基板上に絶縁膜を形成した後、前記酸化防止膜上の前記絶縁膜を除去して、前記分離溝内のみに分離用絶縁膜を埋め込む工程(g)と、前記工程(g)の後に、前記酸化防止膜を除去した後、前記下地絶縁膜を除去する工程(h)と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 J

Fターム (19件)：

5F004AA05 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EB04 ,  5F032AA13 ,  5F032AA18 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA67 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78