特許

J-GLOBAL ID：200903048492108756

半導体集積回路

発明者： 馬場 清一 ,  澤田 稔 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120279
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316245
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 良好な高周波特性を有し、かつ小型化および高集積化が図られた半導体集積回路を提供することである。【構成】 GaAs基板1の表面にMES-FET100を形成し、GaAs基板1上にポリイミド膜11,12,13,14を積層する。MES-FET100の上部領域18のポリイミド膜11,12,13,14を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に複数の絶縁層からなる積層構造を形成し、前記積層構造の層間または層上に伝送線路を配設してなる半導体集積回路において、前記半導体基板上に半導体素子を形成し、前記半導体素子の少なくとも真性部の上部を除いて前記半導体基板上に前記複数の絶縁層からなる積層構造を形成したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/312

FI (3件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/312 B ,  H01L 29/80 R