特許
J-GLOBAL ID：200903048495955298
導波路型光検出装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-244918
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092871
出願日： 1995年09月22日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】 素子特性の安定した、高性能、高信頼性、低コストの導波路型光検出器を得る。【解決手段】 光検出器の受光部周辺の複数の段差部で囲まれる平坦な領域内に、PSG,BPSG,NSG,SOGなどの誘電体材料からなるバッファ層を介して光導波路素子を積層する。受光部領域内には所望の位置に不純物拡散がなされ、その部分のみが光検出器のセグメントとして機能する。光検出器および集積回路とバッファ層との間にはCVD法による窒化ケイ素膜からなる保護層が積層され、また、電極部分のバッファ層や光導波路層は除去する。【効果】 光検出器の受光部周辺の段差付近での平坦化加工と、バッファ層および出力結合器の設計上および加工上の問題がなくなり、従来の高効率導波路型光検出器の構成を、高速応答性・高集積型の光検出器にも応用することが容易になる。また、保護層およびバッファ層の選択による素子特性の安定化、光導波路層のアニール処理による素子の高性能化、電極形成法の改善によるコストダウンなどが図られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、不純物拡散領域を有する光電変換素子が設けられ、該光電変換素子上方に、誘電体層を介して光導波路層を含む光伝搬用の光導波路素子が設けられるとともに、該光導波路層の一部と不純物拡散領域との間で光結合可能な受光領域が設けられた導波路型光検出装置であって、該不純物拡散領域を作製した際に形成された上層段差部に囲まれた領域が該受光領域よりも大きく、該光導波路素子および受光領域が該上層段差部に囲まれた領域の範囲内に設けられている導波路型光検出装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, G02B 6/12 A
