特許
J-GLOBAL ID:200903048500602870

スパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-210830
公開番号(公開出願番号):特開平9-053174
出願日: 1995年08月18日
公開日(公表日): 1997年02月25日
要約:
【要約】【課題】 ターゲットが径4インチ以上の大型のものであっても、ターゲットに割れが生じることがないという性能と、ターゲットが酸化物系多結晶と同一組成あるいは近似組成の焼結体からなるものであっても、デポジションレートを高くすることができるという性能のうち少なくとも一方の性能を備えたスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】 ターゲットがイオンビームの照射量が多い(スパッタリング時に温度が高くなる)中央領域とイオンビームの照射量が少ない(前記温度が高くなる中央領域よりスパッタリング時に温度が低くなる)周辺領域とに区分され、ターゲットが前記温度が高くなる中央領域に相当する中央部材33と温度が低くなる周辺領域に相当する周辺部材34とに分割され、これら中央部材33と周辺部材34とを組み合わせた複合構造とされてなるか、あるいはターゲットの焼結密度を80%以上としたターゲット23。
請求項(抜粋):
薄膜が形成される基材を支持する基材ホルダと、この基材ホルダの基材載置面に対向配置されたターゲットと、前記ターゲットの構成粒子をスパッタするスパッタ手段とが、真空排気可能な容器内に収納されてなるスパッタ装置に設けられるターゲットにおいて、ターゲットがスパッタリング時の温度分布に応じて温度の異る二以上の領域に区分され、ターゲットの構造が前記区分に応じて分割した二以上の部材を組み合わせた複合構造とされてなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件):
C23C 14/34 ,  C30B 23/00 ,  C23C 14/08 ZAA
FI (5件):
C23C 14/34 A ,  C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 C ,  C30B 23/00 ,  C23C 14/08 ZAA L

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