プラズマ処理装置およびその管理方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-424146
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183756
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】半導体処理において、同一の半導体製造装置を用いて多品種のプロセス処理を施した場合、品種毎に成膜の膜厚またはエッチング量の違いにより発生する生成物の堆積量は異なるため、反応室内部に付着した反応生成物に起因して、プロセス特性が変化していても、次の工程での検査までは確認できず、その間のロスはかなり大きいものになる。【解決手段】プロセス処理中に所望の圧力に制御を行う圧力制御用バルブ5の開度と、高周波電力を印加時に発生するバイアス電圧とを設備モニタリングシステムにより常時モニタリングを実施し、どちらか一方または両方のデータが予め設定された値より外れたかを比較し、設備メンテナンス内容を判定してメンテナンス指示を外部に発信する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板にプラズマ処理を施す反応室と、前記反応室にプロセスガスを導入するガス導入部と、前記反応室内の電極に高周波電力を印加する電源手段と、前記電源手段から前記電極に印加されるバイアス電圧を検出するバイアス電圧検出手段と、前記反応室内の圧力を測定する真空計と、前記反応室から排気するポンプと、前記ポンプによる排気で前記反応室内が所望の圧力になるように圧力制御を行う圧力制御バルブと、前記真空計から検出された圧力信号により、前記圧力制御バルブの開度を制御する圧力制御コントローラと、前記バイアス電圧検出手段により検出されたバイアス電圧と前記圧力制御バルブの開度のそれぞれを予め設定された値と比較する設備制御手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/3065 , C23C16/44 , H01L21/205

FI (3件)：

H01L21/302 101M , C23C16/44 J , H01L21/205

Fターム (23件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030HA11 , 4K030JA09 , 4K030JA17 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F004BB11 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA08 , 5F004CB07 , 5F045AA08 , 5F045BB10 , 5F045EB06 , 5F045EH11 , 5F045GB02 , 5F045GB06 , 5F045GB08 , 5F045GB16

引用特許：

出願人引用 (1件)

排気系の圧力異常検出装置とその検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-000158 出願人：日本鋼管株式会社

前のページに戻る