特許

J-GLOBAL ID：200903048508342584

化合物半導体の結晶成長方法

発明者： 上田 孝 ,  後藤 修
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054821
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251100
出願日： 1997年03月10日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】 劈開が容易で、良質な立方晶系のGaNの単結晶を成長させる方法を提供すること。【解決手段】 化合物半導体、例えばGaNの立方晶系の単結晶17を成長させるにあたり、AlAsの結晶からなる層13の一部を窒素と反応させることによりAlN化して、このAlN膜15上にGaNの結晶17をエピタキシャル成長させる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の立方晶系の単結晶を成長させるにあたり、AlAsの結晶からなる層の一部を窒素と反応させることによりAlN化して、該AlN上に化合物半導体をエピタキシャル成長させることを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/40 502 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/40 502 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205