半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國弘安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172301
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022625
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】表面平滑性に優れたZnO薄膜を有し、結晶性に優れ、良好な電気特性を有する半導体デバイスを得る。【解決手段】ZnO基板1の亜鉛極性面1a上にZnOを主成分とするZnO系薄膜(n形コンタクト層6、n形クラッド層7、活性層8、p形クラッド層9、p形コンタクト層10)をECRスパッタ法等で順次成膜する。次いで、真空蒸着法等によりp形コンタクト層10の表面に透明電極3及びp側電極4を形成し、また、ZnO基板1の酸素極性面1b上にn側電極5を形成する。また、上記ZnO系の各薄膜はいずれも亜鉛極性を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

亜鉛極性面と酸素極性面とを有する酸化亜鉛を主成分とする単結晶基板の前記亜鉛極性面上に酸化亜鉛を主成分とする少なくとも1層以上の薄膜が形成されていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L33/00 , C23C14/08 , C23C16/40 , H01L29/786 , H01S5/347

FI (10件)：

H01L33/00 D , C23C14/08 C , C23C16/40 , H01S5/347 , H01L29/78 616V , H01L29/78 617M , H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 619A , H01L29/78 626C

Fターム (69件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA06 , 4K029DB20 , 4K030AA11 , 4K030BA47 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 5F041AA21 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA23 , 5F041CA41 , 5F041CA67 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F073AA07 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073CA22 , 5F073CB10 , 5F073DA07 , 5F073DA23 , 5F073DA30 , 5F073EA29 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF07 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK07 , 5F110HK11 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN22 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35

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