特許

J-GLOBAL ID：200903048514421569

半導体装置

発明者： 吉江 徹
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 幸男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-222648
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058547
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 絶縁層に覆われた配線層にダミー部分が設けられた半導体装置の絶縁層を通しての配線層の検査工程を効率的に行う。【解決手段】 半導体基板11上に凸状に形成された配線部分12を覆うべく該配線部分を埋設するための絶縁層15と、該絶縁層の表面が化学機械研磨を受けたときその表面の平坦化を図るべく絶縁層15内に埋設された凸状のダミー部分13とを含む半導体装置10において、ダミー部分13に配線部分12と判別可能な平面形状を与える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された配線部分を覆うべく該配線部分を埋設するための絶縁層と、該絶縁層の表面の平坦化を図るべく前記絶縁層内に埋設されたダミー部分とを含む半導体装置であって、前記ダミー部分が前記配線部分と判別可能な平面形状を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/304 622 X

Fターム (6件)：

5F033AA11 ,  5F033AA65 ,  5F033BA12 ,  5F033CA01 ,  5F033CA11 ,  5F033FA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の配線レイアウト方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-052897   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• 特開平4-218918
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-118882   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-287326