特許
J-GLOBAL ID：200903048519624670
半導体装置製造用原版レチクルの製造方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-146217
公開番号（公開出願番号）：特開平8-015849
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置製造のためのパターン露光にマスクとして用いるレチクルを形成するための原版となるレチクルの製造手段を改良することにより、中心部分と周辺部分等で露光の不均一が生じることを防止した技術の提供。【構成】 半導体装置製造の際のパターン形成に用いる投影露光用レチクルを製造するための原版となる半導体装置製造用原版レチクルの製造方法であって、該原版レチクルのパターン形成用描画は、該原版レチクルの被描画位置に応じて、例えば、原版レチクルの中心点または中心線から周辺に向う位置(区画1〜3)に応じて、描画のドーズ量を制御して、描画する構成とする。
請求項（抜粋）：
半導体装置製造の際のパターン形成に用いる投影露光用レチクルを製造するための原版となる半導体装置製造用原版レチクルの製造方法であって、該原版レチクルのパターン形成用描画は、該原版レチクルの被描画位置に応じて該描画のドーズ量を制御してこの描画を行う構成としたことを特徴とする半導体装置製造用原版レチクルの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 504
, H01L 21/027
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 541 P
