半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012478
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209383
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】表面における占有面積が小さい容量を有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板1のうち、ウエル層2a,2bの下方にはN型の容量用領域30が形成されている。ウエル層2a,2b及び容量用領域30が形成されていない部分は、P型の基板領域1aである。容量用領域30は、層状領域30a〜30cと柱状領域30dとからなる。柱状領域30dは層状領域30a〜30cを貫くことによってこれらを互いに接続しており、容量用領域30全体の電位は柱状領域30dに与えられる電位によって決定される。容量用領域30のうち基板1の表面に現れている部分は柱状領域30dの表面のみであり、占有面積は小さい。複数の層状の容量用領域30と基板領域1aとの境界の面積は大きく、大きな接合容量が与えられる。この容量を降圧回路の出力側に接続することによって、降圧回路は安定した状態にて動作する。

請求項（抜粋）：

表面部に位置するウエル領域と、前記ウエル領域を取り囲む第1の導電型の基板領域と、前記ウエル領域とは別体であり、前記基板領域に接する、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の容量用領域とを含む基板を備える半導体装置であって、前記容量用領域は、前記基板の前記表面部の側を上方としたときに、前記ウエル領域よりも下方に存在する層状の領域を有する、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 F

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