特許
J-GLOBAL ID：200903048520691977
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094291
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291687
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 AlGaInP系歪量子井戸構造の活性層をもつ半導体レーザ装置の短波長化及び低発振電流閾値化を実現することが目的である。【構成】 GaAs基板上に形成される多重量子井戸構造の活性層5が、量子井戸層5aと、前記GaAs基板の格子定数より小さい格子定数をもつ障壁層5bからなる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板の一主面上に、(AlzGa1-z)1-tIntP量子井戸層と前記GaAs基板の格子定数より小さい格子定数をもつ(AlxGa1-x)1-yInyP障壁層とからなる量子井戸構造の活性層を含む半導体層を備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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