特許
J-GLOBAL ID：200903048526050612
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-225604
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077282
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 LSIチップのAl電極に突起状導体を転写する工程で、LSIチップの破損や転写不良の発生を防止する。【構成】 フィルムベース11上に突起状導体14と接着剤15を形成し、突起状導体14とLSIチップ16のAu薄膜17の位置合わせを行い、LSIチップ16を仮固定してフィルムベース11上に整列させる。また、このフィルムベース11をキャリアとして搬送に用い、フィルムベース11をLSIチップ16から引きはがした後突起状導体14と実装される配線基板の電極を位置合わせし、LSIチップ16の電極と突起状導体、突起状導体と配線基板の電極がそれぞれの間に有する絶縁性の接着材料を排出するまで加圧し、同時に接着剤を硬化し、LSIチップを配線基板に固着すると共に電気的に接続する。
請求項（抜粋）：
フィルムベース上に均一に形成した絶縁性の接着材料中に突起状導体を実装される半導体素子の電極位置に合わせて形成し、この接着シートの突起状導体とあらかじめ非酸化性の金属導体を表面に形成した半導体素子の電極との位置合わせを行い仮固定する工程と、前記工程後の半導体素子からフィルムベースを引きはがした後突起状導体と実装される配線基板の電極を位置合わせし、半導体素子の電極と突起状導体、突起状導体と配線基板の電極がそれぞれの間に有する前記絶縁性の接着材料を排出して接触するまで加圧し、同時に接着材料を硬化し、半導体素子を配線基板に固着すると共に電気的に接続する工程とからなる半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
