特許

J-GLOBAL ID：200903048529187457

Al薄膜の形成方法

発明者： 山本 浩 ,  太田 与洋 ,  竹安 伸行 ,  近藤 英一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153639
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014803
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法を用いてTiN膜上に平坦性に優れたAl薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る他のAl薄膜の形成方法は、TiN膜の形成された基板を、窒素プラズマに晒す第1の工程と、Al成分を含んだ原料ガスを供給して化学気相成長法により、TiON膜上にAl薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

TiN膜の形成された基板を、窒素プラズマに晒す第1の工程と、Al成分を含んだ原料ガスを供給して化学気相成長法により、前記TiN膜上にAl薄膜を形成する第2の工程とを有することを特徴とするAl薄膜の形成方法。