特許

J-GLOBAL ID：200903048529815903

基板処理装置

発明者： 石井 昭紀 ,  境 正憲
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-048551
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243737
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】処理ガスの切り換えを迅速に行えると共に、処理ガス同士が反応してパーティクルが生じるのを抑制または防止できる基板処理装置を提供する。【解決手段】SiH2Cl2とNH3と交互に流して、Si3N4膜を成膜する装置において、NH3供給ノズル233と、その外側のバッファ室237と、SiH2Cl2供給部249とを設け、バッファ室237に排気管238を設け、バッファ室237内の成膜ガスを効率良く排気し、効率よくN2置換することができるようする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のガス噴出口を有した処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段を有し、該ガス供給手段の処理ガス流通空間に連通する様に、ガス排気手段を該ガス供給手段に接続してなる基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (25件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030EA01 ,  4K030EA04 ,  4K030EA11 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045EE06 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF20 ,  5F045EG05