特許
J-GLOBAL ID：200903048536335909
マスクの修正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004493
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204403
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 短時間かつ加工精度の高い方法でX線縮小露光用マスクの欠陥を修正する。【解決手段】 吸収体の余剰欠陥をFIBによるガスアシストエッチングを用いて、また吸収体の欠落欠陥を吸収体の物質に光学的性質がほぼ同じもしくは類似した物質を含んだガスを欠陥部近傍に吹き付け、FIBでアシストすることによって修正する。
請求項（抜粋）：
軟X線を反射する多層膜上に軟X線を反射しにくい物質がパターニングされた構造を有するマスクを、軟X線領域のビームを照明光学系を介して照明し、前記マスク上に描かれている微細パターンを結像光学系を介して、ウエハ基板上に縮小転写するX線縮小露光の、前記マスク上の吸収体余剰に起因する黒欠陥部を修正する欠陥修正方法において、前記黒欠陥部にガスを噴射すると共にFIB(Focused Ion Beam:収束イオンビーム)を照射することにより、前記欠陥部を除去し修正することを特徴とするマスクの欠陥修正方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, G03F 1/16 G
, H01L 21/30 502 W
