特許
J-GLOBAL ID：200903048540252864
半導体発光素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036634
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 端面での界面準位密度を長期間にわたって安定に抑制することができる半導体発光素子を簡便な方法で製造すること。【解決手段】 第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する、共振器構造を備えた半導体発光素子の製造方法において;基板上に化合物半導体層を順次結晶成長した後、共振器端面を形成する工程、該端面上に第一不活性化層を形成する工程、該第一不活性化層にプラズマを照射する工程、および、プラズマ照射された第一不活性化層上にさらに第二不活性化層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
第一導電型クラッド層、活性層及び第二導電型クラッド層を含む化合物半導体層を基板上に有する、共振器構造を備えた半導体発光素子の製造方法において、(1)基板上に化合物半導体層を順次結晶成長した後、共振器端面を形成する工程、(2)該端面上に第一不活性化層を形成する工程、(3)該第一不活性化層にプラズマを照射する工程、および、(4)プラズマ照射された第一不活性化層上にさらに第二不活性化層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/10
, H01L 21/203
, H01L 21/205
H01S 3/18 640
, H01L 21/203 M
, H01L 21/205
