特許
J-GLOBAL ID：200903048545143001
IC素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067874
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302603
出願日： 1986年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】ICにおいて全てが正常に動作しないチップを製作後、その内部配線間を接続してデバック、修正・不良解析等を行って正常に動作するように完成させたIC素子を提供する。【構成】配線層を形成したIC素子において、接続すべき複数箇所の上層の絶縁膜1に接続すべき配線2a、2cを露出するように集束エネルギビームであけた複数の微細穴と、これらの各々に配線と接続され形成された金属配線部7と、表面絶縁膜上に前記微細穴の間を所望の経路に沿って析出させた金属膜で形成して配線部間を電気的に接続した新たな金属配線7とを備え、配線間を金属配線部と金属配線とで電気的に接続して形成した。
請求項（抜粋）：
配線層を形成したIC素子において、接続すべき複数箇所の上層の絶縁膜に接続すべき配線を露出するように集束エネルギビームであけた複数の微細穴と、該複数の微細穴の各々に配線と接続されるべくエネルギビーム誘起CVDにより析出させた金属で埋め込むことによって形成された金属配線部と、表面絶縁膜上に前記微細穴の間を所望の経路に沿ってエネルギビーム誘起CVDにより局部的に析出させた金属膜で形成して前記配線部間を電気的に接続した新たな金属配線とを備え、前記配線間を前記金属配線部と金属配線とで電気的に接続して形成したことを特徴とするIC素子。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
