特許

J-GLOBAL ID：200903048548348240

半導体装置及びその製造方法、並びに液晶装置

発明者： 北和田 清文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082316
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335334
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 欠陥が少なく信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明は基板上に形成される半導体装置に関わり、絶縁膜直上に金属配線を形成する場合、剥離、断線等の問題点を金属に不純物として窒素を含有させることによって解決し、信頼性の高い半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成される半導体装置に於いてゲート電極及び、少なくともゲート電極と同層に形成されている配線は、少なくとも2層以上の積層構造を持つ事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 M