半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：草野卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-349030
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151409
出願日： 2000年11月16日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】(a)GaAs基板上に基板と同種(GaAs)または異種の材料からなる結晶を成長させ、(b)前記基板と異なる材料の基板(Si基板)を前記GaAs基板上に結晶成長させた結晶薄膜面にウエハボンディングし、(c)結晶薄膜部分のみをSi基板に残し、GaAs基板部分のみを剥離(リフトオフ)し、(d)リフトオフした結晶薄膜面に同種(GaAs)または異種の材料の半導体結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

基板上に基板と同種または異種の材料からなる結晶を成長させ、前記基板と異なる材料の基板上に前記基板の結晶成長面をウエハボンディングし、結晶成長部分だけを残し前記結晶を成長させた基板部分を剥離(リフトオフ)し、リフトオフした結晶面に結晶と同種または異種の材料の半導体結晶を成長させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 , H01L 31/04 , H01L 33/00 , H01S 5/02

FI (6件)：

H01L 21/20 , H01L 21/02 B , H01L 33/00 A , H01S 5/02 , H01L 31/04 W , H01L 31/04 Y

Fターム (18件)：

5F041AA12 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CB27 , 5F041CB33 , 5F051CB21 , 5F051DA15 , 5F052JA07 , 5F052JA09 , 5F052JA10 , 5F052KA01 , 5F052KB02 , 5F073AB12 , 5F073DA22 , 5F073DA35 , 5F073EA26

前のページに戻る