特許

J-GLOBAL ID：200903048550870736

ガス放電型表示装置とその製造方法

発明者： 河合 通文 ,  佐藤 了平 ,  伊集院 正仁 ,  西亀 正志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177028
公開番号（公開出願番号）：特開2000-011896
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜電極配線形成においてコスト低減と光学的特性とマイグレーション寿命の改善を図る。【解決手段】複数の第1の電極を有する第1の基板と、第1の電極と交差する複数の第2の電極と放電空間を仕切る隔壁とを有する第2の基板とを備えたガス放電型表示装置であって、第1の電極は、第1の基板上に基板面から透明電極、第1の金属薄膜、第2の金属薄膜、第3の金属薄膜の順に積層するか、透明電極、第1の金属薄膜、第2の金属薄膜の順に積層する。最上層の薄膜金属をレーザー加工し、そのパターンをレジスト形成の代わりにして第2層目の薄膜の直接エッチングを行い、第2層目の薄膜配線をレジストにし第3層目の薄膜のエッチングを行う。第3層目の薄膜のエッチングの代わりにレーザー加工を用いることも可能である。

請求項（抜粋）：

複数の第1の電極を有する第1の基板と、該第1の電極と交差するように配置された複数の第2の電極と放電空間を仕切る隔壁とを有する第2の基板とを備えたガス放電型表示装置であって、該第1の電極は、該第1の基板上に基板面から透明電極、第1の金属薄膜、第2の金属薄膜の順に積層されて構成されていることを特徴とするガス放電型表示装置。

IPC (3件)：

H01J 11/02 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/00

FI (3件)：

H01J 11/02 B ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/00 K

Fターム (4件)：

5C027AA01 ,  5C027AA02 ,  5C040DD01 ,  5C040DD03