特許
J-GLOBAL ID：200903048551237867
プラズマ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344970
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196410
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】ECR型プラズマ処理装置において、複数の基板を連続処理しても成膜速度,エッチング速度が変化せず、かつドライクリーニング時にはクリーニグ速度を上昇させることのできる装置構成を提供する。【構成】反応性ガス供給源30から装置に到るガス導入管8、環状に形成されてプラズマ生成室3あるいはこれと連通する試料室7と同軸に配されガス導入管8から環状の内部空間内へ送り込まれた反応性ガスをプラズマ生成室3あるいは試料室7内へ噴出するガス導入リング22および試料室7の内壁面を覆い該内壁面への薄膜物質の付着を防止する筒状の防着板24をそれぞれ、加熱手段と温度制御手段とを用いて50〜150°C範囲の一定温度に保持する装置とする。
請求項（抜粋）：
マイクロ波とプラズマ原料ガスとが導入されるプラズマ生成室と、プラズマ生成室を同軸に囲みプラズマ生成室内に電子サイクロトロン共鳴磁界を形成する励磁ソレノイドと、プラズマ生成室と内部空間が連通するとともに基板をその被成膜面をプラズマ生成室に向けて保持する基板ホールダを内包する試料室と、試料室の内壁面を覆い基板への成膜中該内壁面への薄膜物質の付着を防止する筒状の防着板と、環状に形成されて防着板と同軸に配されその環状の内部空間内へ導入された反応性ガスを防着板の内側へ噴出するガス導入リングと、外部の反応性ガス供給源からガス導入リングに至るガス導入管とを備えてなるプラズマ処理装置において、防着板と、ガス導入リングと、ガス導入管のガス導入リング近傍とにそれぞれ加熱手段と温度制御手段とからなる一定温度制御手段を持ち、基板への成膜中あるいは装置内部のドライクリーニング中、それぞれ50〜150°C範囲の一定温度に保持することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 21/31
, H05H 1/46
, G01N 24/14
, G01R 33/64
