特許
J-GLOBAL ID：200903048554312010

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松浦 正純

松浦 正純 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246168
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111458
出願日： 1994年10月12日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、十分な平坦性および十分な層間膜絶縁耐圧を持つ高信頼性の層間絶縁膜の形成方法を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 半導体基板1の上に金属配線パターン2を形成する。金属配線パターン2の表面を被覆するように、半導体基板1の上に第1の酸化膜3を形成する。第1の酸化膜3で被覆された金属配線パターン2を覆うように、半導体基板1の上にSi-O-Si結合およびSi-H基を含み、かつ立体的な分子構造を有するポリマ膜4を形成する。ポリマ膜4に不活性ガスによるプラズマ処理を施し、それによって、ポリマ膜4中に不活性ガスを導入する。プラズマ処理されたポリマ膜4の上に第2の酸化膜6を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた金属配線パターンと、前記金属配線パターンの表面を被覆するように前記半導体基板の上に設けられた第1の酸化膜と、前記金属配線パターンを覆うように前記第1の酸化膜の上に設けられた、その膜中に不活性ガスを含むシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に設けられた第2の酸化膜と、を備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/90 Q ,  H01L 21/88 K
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM