特許
J-GLOBAL ID：200903048555010042
シリコンウェーハのIG熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
桑井 清一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-098745
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275431
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェーハにIG熱処理を行う場合、第1段のDZ形成のための高温熱処理の熱処理時間を短時間とし、かつ、所定幅のDZを安定して形成する。【構成】 シリコンウェーハを酸素雰囲気で1280°Cで0.2時間、熱処理を行う。その後、550°Cでランピング熱処理を行う。さらに、1000°Cで24時間の析出熱処理を行う。このようにしてシリコンウェーハの表面に30μmの厚さのDZを形成するとともに、バルク内部に所定のIG層を形成する。
請求項（抜粋）：
高温熱処理後、低温熱処理を施すことによりシリコンウェーハ表面にDZを形成し、その内部にゲッタリング層を形成するシリコンウェーハのIG熱処理方法において、上記高温熱処理を1250〜1350°Cで行うことを特徴とするシリコンウェーハのIG熱処理方法。
引用特許：
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