光センサ回路およびこれを用いたイメージセンサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西正悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-250516
公開番号（公開出願番号）：特開2000-083198
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：

【要約】【課題】開口率が大きくて感度の良い画素を構成することができる光センサ回路およびこの回路を用いたイメージセンサを得る。【解決手段】光信号をセンサ電流に変換する光導電膜L1と、変換したセンサ電流を弱反転状態で対数特性を有する検出電圧に変換するMOSトランジスタQ1と、このMOSトランジスタの検出端子に接続して配設されたコンデンサCと、光信号を検出する際に上記MOSトランジスタのゲート電圧にリセット用電圧を印加してドレイン-ソース間のインピーダンスを低下させてコンデンサの充電または放電を制御するゲート電圧VGとを備えて光センサ回路が構成される。この光センサ回路は、光導電膜L1が変換したセンサ電流が所定電流以下の電流である場合には、コンデンサCの充電電流または放電電流に比例した検出電圧を検出する線形応答領域を備え、光導電膜L1が変換したセンサ電流が所定電流を超える電流である場合にはMOSトランジスタQ1の負荷特性に対応した対数特性を有する検出電圧を検出する対数応答領域を備える。

請求項（抜粋）：

光導電膜から構成されるとともに受光した光信号をセンサ電流に変換する光-電気変換手段と、前記光-電気変換手段が変換したセンサ電流を弱反転状態で対数特性を有する検出電圧に変換する変換用MOSトランジスタと、前記変換用MOSトランジスタの検出端子に接続して配設されたコンデンサと、光信号を検出する際に、前記変換用MOSトランジスタのゲート電圧にリセット用電圧を印加してドレイン-ソース間のインピーダンスを低下させ、前記コンデンサの充電または放電を制御する初期設定手段とを備え、前記光-電気変換手段が変換したセンサ電流が所定電流以下の電流である場合には、前記コンデンサの充電電流または放電電流に比例した検出電圧を検出する線形応答領域を備えるとともに、前記光-電気変換手段が変換したセンサ電流が前記所定電流を超える電流である場合には、前記変換用MOSトランジスタの負荷特性に対応した対数特性を有する検出電圧を検出する対数応答領域を備えることを特徴とする光センサ回路。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (3件)：

H04N 5/335 E , H01L 27/14 A , H01L 31/10 G

Fターム (24件)：

4M118AA02 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA14 , 4M118CB06 , 4M118CB14 , 4M118DD09 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 5C024AA01 , 5C024CA12 , 5C024CA15 , 5C024FA01 , 5C024FA11 , 5C024GA04 , 5C024GA31 , 5F049MA01 , 5F049MA20 , 5F049RA06 , 5F049UA20

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