特許

J-GLOBAL ID：200903048557516741

薄膜太陽電池の製造方法

発明者： 濱本 哲 ,  出口 幹雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186083
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005891
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 半導体薄膜2を耐熱性基板1上からガラス母体3上に張り換える工程を有する薄膜太陽電池の製造方法において、半導体薄膜2の高温形成工程では、半導体薄膜2を強固に耐熱性基板1に固定保持し、しかもその後上記耐熱性基板1と半導体薄膜2との分離を簡単に行う。【構成】 耐熱性基板1表面上に、その厚さ方向の破壊応力がこれと垂直な方向の破壊応力より小さいグラファイトシート14を形成し、その上に半導体薄膜2を形成し、該半導体薄膜表面にガラス母体3を接着した後、上記グラファイトシート14にその厚さ方向の破壊応力を与えてこれを破壊する。

請求項（抜粋）：

入射光を光電変換して光起電力を発生する半導体薄膜を高温処理により形成する工程を有する薄膜太陽電池の製造方法において、耐熱性基板上にその厚さ方向の破壊応力がこれと垂直な方向の破壊応力より小さい剥離層を形成する第1の工程と、上記耐熱性基板上に該剥離層を介して上記半導体薄膜を高温処理により形成する第2の工程と、上記半導体薄膜表面に該半導体薄膜を支持する支持母体を接着する第3の工程と、上記耐熱性基板及び支持母体に対して、上記剥離層にその厚さ方向の破壊応力が作用するよう機械的応力を印加して上記剥離層を破壊し、上記耐熱性基板と半導体薄膜とを分離する第4の工程とを含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/02

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特表昭57-500670
  
• 特開昭57-111211