特許
J-GLOBAL ID:200903048561186012

スピン・バルブ・センサ、磁気ヘッド、磁気ディスク・ドライブ、及びこれらの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-308527
公開番号(公開出願番号):特開2000-149229
出願日: 1999年10月29日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 巨大磁気抵抗(GMR)改良層、逆平行被ピン止め層、及び感知電流磁場被ピン止め層を有する、外部磁場に安定なニア・ゼロ磁歪ダブル・スピン・バルブ・センサの提供。【解決手段】 AP被ピン止め層が、コバルト鉄(Co90Fe10)から成る第1及び第2の膜を有する。スピン依存散乱性の向上に、第1及び第2のGMR改良層使用、これらもコバルト鉄から成る。スピン・バルブ効果を倍増すべくAP被ピン止め層の第2の膜と同一の方向にピン止めの感知電流磁場(SCF)被ピン止め層を使用し、該層もまた、コバルト鉄から成る。全磁性層がコバルト鉄から成り、外部磁場の発生後磁気モーメントが元位置に復帰する。更に、コバルト鉄はニア・ゼロ磁気歪を有し応力誘起異方性がこれらの層の磁気特性を変化させない。
請求項(抜粋):
強磁性自由層と、非磁性且つ導電性の第1のスペーサ層と、逆平行(AP)被ピン止め層と、反強磁性ピン止め層とを含み、前記AP被ピン止め層が前記ピン止め層、及び前記AP被ピン止め層と前記自由層間に配置される前記第1のスペーサ層と交換結合され、前記AP被ピン止め層が第1及び第2の強磁性膜と、前記第1及び第2の強磁性膜間に挟まれるAP結合膜とを含み、前記強磁性膜の少なくとも1つがCo90Fe10である、スピン・バルブ・センサ。
引用特許:
審査官引用 (1件)

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