特許

J-GLOBAL ID：200903048564635586

太陽電池およびその製造方法

発明者： 山田 巧 ,  西岡 孝 ,  川上 剛司 ,  山田 武
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231543
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074968
出願日： 1996年09月02日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】カルコパイライト単結晶薄層の形成方法を確立し、それによって、カルコパイライトのホモ接合を構成要素としてもつ太陽電池の製造を可能とする。【解決手段】真空の成長チャンバ1中で、基板ホルダ2に保持され、加熱された基板上に、蒸発、昇華により、原料セル21〜25とそれらのシャッタ11〜15の開閉によって、太陽電池を構成する元素の原料を個別に、あるいは2以上の原料を同時に、順次繰り返して供給し、カルコパイライト薄膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

同種のp型カルコパイライト薄膜とn型カルコパイライト薄膜とが面接触してホモpn接合を形成していることを特徴とする太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/363