電子デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061560
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260611
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】データの読出しを正確に行なえる量子効果メモリ素子を提供すること。【解決手段】チャネル領域上に形成されたゲート酸化膜4と、このゲート酸化膜上に形成され、複数の量子ドットセル5とからなる量子ドットセル群と、この量子ドットセル群の全面に形成されたトンネル酸化膜6と、このトンネル酸化膜6の全面に形成されたゲート電極7とを備えている。データの書込み時にはゲート電極7に負の電圧を印加することにより、量子ドットセル群の全量子ドットセル5に電子が注入される。これにより、しきい値変化が大きくなり、データの読出しを正確に行なえるようになる。

請求項（抜粋）：

主電流が流れる第1の導電領域と、この第1の導電領域上に、第1のエネルギー障壁層を介して設けられ、キャリアを閉じ込めることができる第2の導電領域と、この第2の導電領域上に、第2のエネルギー障壁層を介して設けられ、トンネル効果により前記第2の導電領域にキャリアを注入でき、かつ前記第2の導電領域内に閉じ込められたキャリアを前記第1の導電領域以外の領域に排出できるキャリア注入・排出手段とを具備してなり、前記キャリア注入・排出手段により前記第2の導電領域内に閉じ込めるキャリアの量を制御し、この閉じ込めるキャリアの量の違いにより生じる前記第1の導電領域の電位差により、前記主電流を制御することを特徴とする電子デバイス。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特公昭49-022356
特開昭57-130473

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