半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275614
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115906
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】アルミニウム系金属膜からなる配線を有する半導体装置において、配線中におけるヒロックの発生を防止する。【解決手段】半導体基板3の上に、層間絶縁膜となる酸化膜2を堆積し、酸化膜2の上にAl-1.0%Si金属膜1を堆積する。Al-1.0%Si金属膜1をパターニングして配線4を形成した後、窒素ガス雰囲気下でスパッタリングを行い、配線4の表面付近の領域に窒素原子を導入してダメージ層6を形成する。ダメージ層6の形成によって、アルミニウム系金属配線のヒロック密度が低減する。窒素ガスにアルゴンガスを添加した雰囲気で行ってもよい。また、アルミニウム系金属膜を堆積した状態でスパッタリングを行ってもよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にアルミニウム系金属膜を堆積する第1の工程と、上記金属膜をパターニングして配線を形成する第2の工程と、少なくとも上記第1の工程を行った後に、窒素ガスを含む雰囲気下でスパッタリングを行って、上記金属膜に少なくとも窒素原子を導入する第3の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

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