特許
J-GLOBAL ID：200903048578209849
不揮発性多値メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224384
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069296
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルからの多値情報の読み出し時間が、多値情報の転送レートより長くても、空き時間を設けることなく多値情報の転送を可能とする。【解決手段】 メモリセルアレイ6Lに対し、上下にリードライト回路群300LU,300LLを設け、各リードライト回路を、データレジスタ、書き込み回路、読み出し回路、転送回路で構成し、上側リードライト回路群300LU内のデータレジスタ群に保持されているデータを順次外部へ転送し、転送終了後、下側リードライト回路群300LL内のデータレジスタ群に保持されているデータを順次外部へ転送すると共に、上側のデータレジスタ群のデータを転送している期間に、下側ブロック内の複数のメモリセルから同時に読み出しを行い、下側のデータレジスタ群のデータを転送している期間に、上側ブロック内の複数のメモリセルから同時に読み出しを行うようにする。
請求項（抜粋）：
多値のアナログ量を書き込み可能な複数の不揮発性メモリセルより成る第1及び第2のメモリセルアレイと、該第1及び第2のメモリセルアレイに各々対応して設けられた第1及び第2のデータレジスタ群と、前記第1及び第2のメモリセルアレイに書き込まれたアナログ量を読み出し該アナログ量に対応するデジタルデータを、各々、前記第1及び第2のデータレジスタ群に設定する第1及び第2の読み出し回路群と、前記第1及び第2のデータレジスタ群に保持されたデジタルデータを外部に転送する第1及び第2の転送回路群と、前記第1の転送回路群を動作させて第1のデータレジスタ群に保持されているデータを順次外部へ転送し、転送終了後、前記第2の転送回路群を動作させて第2のデータレジスタ群に保持されているデータを順次外部へ転送すると共に、前記第1のデータレジスタ群のデータを転送している期間に、前記第2の読み出し回路を動作させて第2のメモリセルアレイの複数のメモリセルから同時に読み出しを行い、前記第2のデータレジスタ群のデータを転送している期間に、前記第1の読み出し回路を動作させて第1のメモリセルアレイの複数のメモリセルから同時に読み出しを行うよう制御する制御回路とを備えたことを特徴とする不揮発性多値メモリ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 308
, G11C 11/56
