特許
J-GLOBAL ID：200903048580849170
酸化物超電導体薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217263
公開番号（公開出願番号）：特開平7-069788
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：
【要約】【目的】 基板上にYBaCuO酸化物超電導体の薄膜を形成するに当たり、c軸が基板面に対し傾いている薄膜でかつ結晶品質に優れる薄膜の形成が期待できる新規な方法を提供する。【構成】 SrTiO3 基板であって(001)面から[100]又は[010]方位へ所定角度θ傾いた結晶面を主面とする基板11に、第1の傾斜面17aとこれに直交する第2の傾斜面とで構成された段差17を次々連続するように形成して、薄膜形成用基板19を得る。この基板19上にYBaCuO超電導体薄膜21を形成する。ただし、各段差17の第1の傾斜面17aは(001)面となるようにかつその長さLはYBaCuOのa軸又はb軸の格子間隔の整数倍とする。また、第2の傾斜面17bの長さdはYBaCuOの層状構造における層間距離若しくはそれに近い寸法とする。
請求項（抜粋）：
基板上に層状構造を有する酸化物超電導体の薄膜を形成するに当たり、表面に第1の傾斜面と該第1の傾斜面に接する第2の傾斜面とで構成される段差を次々と連続して有する基板であって、以下の(a)及び(b)を満たす基板を、酸化物超電導体薄膜形成用の基板として用いることを特徴する酸化物超電導体薄膜の形成方法。(a)前記基板として前記酸化物超電導体の層状構造における層内の格子定数と等しいか近似の格子定数を持つ結晶面を有する基板を用い、前記第1の傾斜面を該結晶面をもって構成する。(b)前記第2の傾斜面の長さdを、前記酸化物超電導体の層状構造における層間距離若しくはそれに近い値としてある。
IPC (3件)：
C30B 25/18
, C30B 29/22 501
, H01B 12/06 ZAA
