特許

J-GLOBAL ID：200903048582585065

半導体部材及び半導体部材の製造方法

発明者： 米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194138
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021338
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。

請求項（抜粋）：

多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/20 ,  C30B 19/00 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/304 321