特許

J-GLOBAL ID：200903048586855733

ハーフ・ブリッジ装置

発明者： アンドレアス グリュンデル ,  ベルンハルト ホフマン
出願人/特許権者： グリュンドル ウント ホフマン ゲーエムベーハー,ゲゼルシャフト フュア エレクトロテクニッシェ エントヴィックルンゲン
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-226126
公開番号（公開出願番号）：特開平7-079576
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 電力を切り替えるためのハーフ・ブリッジ装置を提供する。【構成】 ハーフ・ブリッジ(12a〜12d)を形成する少なくとも2つの半導体スイッチ(14〜21)を直列に接続し、少なくとも1つのコンデンサ・アセンブリ(30)をVSS-間に配置し、コンデンサ・アセンブリ(30)を半導体スイッチ(14〜21)を設けた印刷回路基板(33)の少なくとも1つのシート・コンデンサ(30a)および/または中空コイル(40)として構成された少なくとも1つのラップ・コンデンサ(30b)によって構成し、半導体スイッチ(14〜21)を中空コイル(40)内に配置し、中空コイル(40)内で流体冷却を行う。

請求項（抜粋）：

ハーフ・ブリッジ(12a;12b;12c;12d)を形成する少なくとも2つの半導体スイッチ(14,21;15,20;16,19;17,18)を直列に接続し;それぞれの半導体スイッチ(14,21;15,20;16,19;17,18)は駆動手段(23,24)に接続された制御入力端子(G)を備え;各第1の半導体スイッチ(14,15;16,17)のソース端子(S)が高電位(VSS)にあり;各第2の半導体スイッチ(18;19;20;21)のドレイン端子(D)が低電位(VDD)にあり;各第1の半導体スイッチ(14;15;16;17)のドレイン端子(D)を各第2の半導体スイッチ(18;19;20;21)のソース端子(S)に接続して出力端子(A)を構成し;少なくとも1つのコンデンサ・アセンブリ(30)を高および低電位(VSS,VDD)の間に配置して、電力を切り替えるためのハーフ・ブリッジ装置において、前記駆動手段(23,24)により前記半導体スイッチ(14,21;15,20;16,19;16,17)を20kHzより高いスイッチング周波数を有する制御信号によって駆動し;前記コンデンサ・アセンブリ(30)を、半導体スイッチ(14,21;15,20;16,19;17,18)を搭載した印刷回路基板(33)の少なくとも1つのシート・コンデンサ(30a)および/または中空コイル(40)として構成された少なくとも1つのラップ・コンデンサ(30b)によって構成し;前記半導体スイッチ(14,21;15,20;16,19;17,18)を、中空コイル(40)として構成された前記ラップ・コンデンサ(30b)内に配置し;および前記中空コイル(40)内に流体冷媒を設けたことを特徴とするハーフ・ブリッジ装置。

IPC (5件)：

H02M 7/5387 ,  H02J 1/00 304 ,  H02M 7/48 ,  H02M 7/537 ,  H05K 7/20