特許
J-GLOBAL ID：200903048591599931
反射防止膜材料組成物及びこれを用いたレジストパターン形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-146629
公開番号（公開出願番号）：特開平10-333336
出願日： 1997年06月04日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 光反射防止効果が高く、インターミキシングが起こらず、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、更に解像力及び膜厚依存性に優れ、保存の経時安定性にも優れたフォトレジスト反射防止膜材料組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記の低分子吸光剤、高分子材料及び溶剤を含むことを特徴とする反射防止膜材料組成物とこの反射防止膜材料組成物を使用するレジストパターン形成方法。低分子吸光剤は、分子量2000以下で、365nm、248nmまたは193nmの少なくともいずれかの波長光に対するモル吸光係数が10000以上であり、且つ架橋反応性または重合反応性の官能基を分子内に2つ以上有する芳香族化合物またはヘテロ芳香族化合物である。
請求項（抜粋）：
下記(1)の低分子吸光剤、高分子材料及び溶剤を含むことを特徴とする反射防止膜材料組成物。(1)低分子吸光剤は、分子量2000以下で、365nm、248nmまたは193nmの少なくともいずれかの波長光に対するモル吸光係数が10000以上であり、且つ架橋反応性または重合反応性の官能基を分子内に2つ以上有する芳香族化合物またはヘテロ芳香族化合物である。
IPC (4件)：
G03F 7/11 503
, C09D 5/00
, C09D 7/12
, C09D201/00
G03F 7/11 503
, C09D 5/00 M
, C09D 7/12 Z
, C09D201/00
