特許
J-GLOBAL ID：200903048595284943
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-280998
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135250
出願日： 1993年11月10日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】コンタクト孔に埋込むAl系合金膜の濡れ性を向上させボイドの発生を防止する。【構成】層間絶縁膜2に形成したコンタクト孔3を含む表面にバリアメタル膜としてTiN/Ti膜4を堆積し、その表面をArイオンエッチングで薄く除去した後、真空を破らずにAl系合金膜6を堆積して加熱リフローしコンタクト孔3内に埋込み表面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した層間絶縁膜を選択的にエッチングしてコンタクト孔を形成し前記コンタクト孔を含む層間絶縁膜の表面にバリアメタル膜を堆積する工程と、Arイオンエッチングにより前記バリアメタル膜の表面を薄く除去した後、真空を破ることなく前記バリアメタル膜上にAl系合金膜を堆積し加熱リフローして前記コンタクト孔内に埋込み表面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
