特許

J-GLOBAL ID：200903048599029840

ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルを有するバラクタ・ダイオード

発明者： ゲディーズ,ジョン・ジェイ ,  シング,ドナルド・アール
出願人/特許権者： ハネウエル・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-507247
公開番号（公開出願番号）：特表平9-504143
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】ヘテロ構造集積回路技術で形成した、ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルを有するバラクタ・ダイオード。ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルをもたらす、ダイオード内の伝導を電荷シートに閉じ込めるために、ダイオード構造中のいくつかの層はパルス・ドーピングを有する。所望のキャパシタンス-電圧特性が得られるようにダイオードの構造設計を修正することができる。

請求項（抜粋）：

ステップ付きキャパシタンス-電圧プロフィルを有するヘテロ構造バラクタ・ダイオードであって、 GaAs基板と、 前記GaAs基板上に形成した第1の非ドープGaAs層と、 前記第1の非ドープGaAs層上に形成したドープInGaAs層と、 前記ドープInGaAs層上に形成した第1の非ドープAlGaAs層と、 前記第1の非ドープAlGaAs層上に形成した第1の非ドープInGaAs層と、 前記第1の非ドープInGaAs層上に形成した第2の非ドープAlGaAs層と、 前記第2の非ドープAlGaAs層上に形成した第1の非ドープ・シリコン層と、 前記第1の非ドープ・シリコン層上に形成した第3の非ドープAlGaAs層と、 前記第3の非ドープAlGaAs層上に形成した第2の非ドープInGaAs層と、 前記第2の非ドープInGaAs層上に形成した第1のドープAlGaAs層と、 前記第1のドープAlGaAs層上に形成した第2の非ドープ・シリコン層と、 前記第2の非ドープ・シリコン層上に形成した第2のドープAlGaAs層と、 前記第2のドープAlGaAs層上に形成した第2の非ドープGaAs層と を備えるダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/93 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 29/93 Z ,  H01L 29/93 S ,  H01L 27/04 C