特許

J-GLOBAL ID：200903048601472846

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 野本 和正
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-218224
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035981
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】製造工程を複雑化することなく印刷法を適用した高精度な微細パターンの形成が可能で、これにより素子構成の高集積化を図ることが可能な塗布系の半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】凹凸形状を有するスタンパ3を押し圧するエンボス加工によって基板1の表面に凹状パターン1aを形成する。次に凹状パターン1aの両側にソース/ドレイン電極5をパターン形成する。また、凹状パターン1a内に、半導体材料からなる塗布系材料を印刷供給し、これを固化させることにより活性層7aを形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

凹凸形状を有するスタンパを押し圧するエンボス加工によって基板の表面に凹状パターンを形成する第1工程と、 前記凹状パターン内に、半導体材料または導電性材料からなる塗布系材料を印刷供給する第2工程と、 前記印刷供給された塗布系材料を固化させる第3工程を行う ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/288

FI (5件)：

H01L29/78 627C ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616K

Fターム (27件)：

4M104AA09 ,  4M104DD21 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD21 ,  5F110EE42 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK32 ,  5F110HK41 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 微細造作を有するデバイスの液体エンボス加工による製造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-523922   出願人：マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー

審査官引用 (3件)

• トランジスタ、集積回路、電気光学装置、電子機器、並びにトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-351112   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-015392   出願人：大日本印刷株式会社
• 成膜方法、光学素子、半導体素子および電子機器、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-056967   出願人：セイコーエプソン株式会社