特許

J-GLOBAL ID：200903048617278276

有機薄膜トランジスタ

発明者： 夏目 穣
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-324106
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140883
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】ソース/ドレイン電極と有機半導体層の電荷注入障壁を低減させ、かつ界面状態を均一化させることのできる有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】 ソース/ドレイン電極と有機半導体層との界面に該電極を構成する金属とスルフィド結合した下記式(1)で表される縮合多環芳香族チオールが存在することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【化1】 式(1)中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8は、各々独立に水素、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、エーテル基、ハロゲン基、ケトン基、エステル基、アミノ基、アミド基、シアノ基、シリル基、およびこれらの基から構成される誘導基から選ばれる置換基であり、nは0〜5の整数、mは0〜12の整数である。尚、n、mが2以上の場合のR1、R2、R7、R8は各々が独立に上記置換基から選ばれる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ソース/ドレイン電極と有機半導体層との界面に、該電極を構成する金属とスルフィド結合した下記式(1)で表される縮合多環芳香族チオールが存在することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (6件)：

H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G

Fターム (45件)：

4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA03 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK42

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-228573   出願人：ソニー株式会社
• 有機薄膜トランジスタ、その製造方法、及びその有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-337634   出願人：三星エスディアイ株式会社

審査官引用 (3件)

• 装置、有機トランジスタ及び能動有機デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-138784   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-345456   出願人：凸版印刷株式会社
• 有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-134881   出願人：大日本印刷株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Electrical breakdown of aliphatic and aromatic self-assembled monolayers used as nanometer-thick or