特許

J-GLOBAL ID：200903048617671474

プラズマCVD装置

発明者： 浦野 裕司
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-113388
公開番号（公開出願番号）：特開平10-289881
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD装置に於いて、プラズマが均一となる領域を拡大する。【解決手段】上下の電極23,21間に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、被処理基板を処理するプラズマCVD装置に於いて、上部電極を中央部24と周縁部25に分割し、前記中央部24と前記周縁部25の少なくとも一方を上下移動可能に設けたことにより、前記中央部24と周縁部25の上下の電極の間隔を調整し、プラズマが均一となる領域を拡大する。

請求項（抜粋）：

上下の電極間に高周波電力を供給してプラズマを発生させ、被処理基板を処理するプラズマCVD装置に於いて、上部電極を中央部と周縁部に分割し、前記中央部と前記周縁部の少なくとも一方を上下移動可能に設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C