特許
J-GLOBAL ID：200903048619833021
光電面
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-348394
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188781
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、表面層の化学的活性が少なく所定の特性が安定して得られる光電面を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の光電面では、半導体からなる活性層22の表面に、エネルギバンドギャップの値が活性層22よりも大きく、電子親和力の値が活性層22よりも小さい有極性物質からなる表面層24が形成されて、活性層22表面では電子親和力の値を低減し又は負にし、仕事関数の値を低減しており、有極性物質が、CsI,RbI,KI,NaI,CsBr,RbBr,KBr,CsCl,RbCl,KCl,RbF及びKFからなる群により選ばれる少なくとも一種の成分からなるものであることを特徴としている。このような有極性物質により、光電面20が化学的に安定した表面層24を有するようになる。この結果、品質が一定した高感度の光電面20が得られるようになる。
請求項（抜粋）：
半導体からなる光電面において、前記半導体の表面には、エネルギバンドギャップの値が前記半導体よりも大きく、電子親和力の値が前記半導体よりも小さい有極性物質からなる表面層が形成されて、前記半導体表面における電子親和力の値を低減し又は負にしており、前記有極性物質が、CsI,RbI,KI,NaI,CsBr,RbBr,KBr,CsCl,RbCl,KCl,RbF及びKFからなる群により選ばれる少なくとも一種の成分からなるものであることを特徴とする光電面。
引用特許：
前のページに戻る
