特許
J-GLOBAL ID：200903048621430856
誘電体キャパシタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004463
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245237
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 経年変化の少ない誘電特性を示す誘電体キャパシタを提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板2の上に、酸化シリコン層4、下部電極12、強誘電体層8、上部電極15が設けられている。下部電極12は、酸化イリジウムによって形成されている。また、上部電極15も、酸化イリジウムによって形成されている。酸化イリジウムは、強誘電体膜8中の酸素の透過を防止する。これにより、経年変化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない誘電体キャパシタを得ることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも酸化イリジウム層を有する下部電極、下部電極の上に形成され、強誘電体または高誘電率を有する誘電体によって構成される誘電体層、誘電体層の上に形成された上部電極、を備えた誘電体キャパシタ。
引用特許：
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