特許

J-GLOBAL ID：200903048622736142

半導体装置の保護回路

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-133249
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321806
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 セルフアラインシリサイドを適用した半導体装置では、素子構造を複雑化させることなくかつ安定した素子特性を確保した状態で、内部回路の動作速度を確保できかつ耐圧に優れた保護回路を得ることができなかった。【解決手段】 電極パッド2と内部回路3との間に設けられ、MOSトランジスタ11を有する保護回路1であって、ドレイン(第1の拡散層電極)11aが電極パッド2と内部回路3とに接続されソース(第2の拡散層電極)11bが基準電位Vssに接続されたMOSトランジスタ11を有する半導体装置の保護回路1において、電極パッド2とドレイン11aとの間には、電極パッド2に接続されたシリサイド層14aと内部回路3に接続された多結晶シリコン14bとからなる抵抗素子14が設けられたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

電極パッドと内部回路との間に設けられ、第1の拡散層電極が当該電極パッドと当該内部回路とに接続され第2の拡散層電極が基準電位に接続された絶縁ゲート型電界効果トランジスタを有する半導体装置の保護回路において、前記電極パッドと前記第1の拡散層電極との間には、当該電極パッドに接続されたシリサイド層と前記内部回路に接続された多結晶シリコンとからなる抵抗素子が設けられたこと、を特徴とする半導体装置の保護回路。

IPC (4件)：

H01L 27/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/06 311 A ,  H01L 27/04 P ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-128465
  
• 増幅器回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-274781   出願人：田中幸男
• 特開昭61-043464
  
• 特許第2557980号