特許

J-GLOBAL ID：200903048623693366

薄膜キャパシタおよびその製造方法

発明者： 曽袮 修次
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-246849
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049285
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 ペロブスカイト型酸化物薄膜と、このペロブスカイト型酸化物薄膜を挟持する一対の電極膜とを有する薄膜キャパシタにおいて、ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜温度を低く抑え、かつ単純な作製方法によりペロブスカイト型酸化物誘電体を形成する。【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物薄膜を、酸化物を一般式ABO3 (但し、Aは2価金属元素、鉛およびランタンから選ばれる1種以上の元素、Bは4価金属元素から選ばれる1種以上の元素である。)で表記したときのA元素/B元素比が1.1〜2.0であり、かつそのグレイン構造がグラニュラー構造であるものとする。また、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法として、プラズマCVD法により下部電極基板上に50〜300°Cの成膜温度でアモルファス膜を堆積させた後、温度650〜750°C、1〜10秒のRTAにより結晶化させる方法を用いる。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型酸化物薄膜と、このペロブスカイト型酸化物薄膜を挟持する一対の上部および下部電極とを有する薄膜キャパシタにおいて、前記ペロブスカイト型酸化物薄膜が、酸化物を一般式ABO3 (但し、Aは2価金属元素、鉛およびランタンから選ばれる1種以上の元素、Bは4価金属元素から選ばれる1種以上の元素である。)で表記したときのA元素/B元素比が1.1〜2.0であり、かつそのグレイン構造がグラニュラー構造であること特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

Fターム (6件)：

5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体キャパシタの作製方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181358   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社