半導体装置及びその作製方法、並びにテレビジョン

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-225305
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080495
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型のTFTを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜を成膜し、該非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜上にドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型のTFTを形成して半導体装置を作製する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

絶縁表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域に触媒元素を添加し加熱した後、前記第1の半導体領域上に不純物元素を有する第2の半導体領域を形成し、前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域を加熱した後、前記第2の半導体領域に接する第1の導電層を液滴吐出法により形成し、前記第1の導電層及び前記第2の半導体領域の一部をエッチングして、第2の導電層及びソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第2の導電層上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングして、前記ゲート電極の一部を露出した後、前記ゲート電極に接続する第3の導電層を液滴吐出法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (12件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/288 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/20 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , G02F 1/136 , G03F 7/20 , H01L 21/322

FI (16件)：

H01L29/78 627Z , H01L29/78 627G , H01L29/78 616K , H01L29/78 616L , H01L29/78 627C , H01L29/78 612C , H01L21/288 Z , H01L29/58 G , H01L21/20 , H01L27/08 331E , H01L27/08 102C , H01L27/08 102D , G02F1/1368 , G03F7/20 505 , H01L21/322 P , H01L21/322 G

Fターム (191件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA07 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA28 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 2H097AA03 , 2H097CA17 , 2H097FA03 , 2H097LA11 , 2H097LA12 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC15 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BF01 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE36 , 5F110EE37 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK14 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK27 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM02 , 5F110HM03 , 5F110HM12 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110HM17 , 5F110HM19 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28 , 5F152BB02 , 5F152BB03 , 5F152BB06 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CD23 , 5F152CD27 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE12 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE35 , 5F152CE36 , 5F152CE45 , 5F152EE02

引用特許：

出願人引用 (1件)

EL駆動装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-216566 出願人：富士ゼロツクス株式会社

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