特許

J-GLOBAL ID：200903048627593080

バリアを伴う酸化耐熱性金属を用いた複合イリジウムバリア構造およびその形成方法

発明者： フェンヤン ザンク ,  シェン テン スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-149037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353787
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体キャパシタの電極を形成する際に有効なIr-M-O複合膜を提供する。【解決手段】 本発明の高温で安定な導電性バリアは、集積回路において高温で安定な導電性バリアであって、基板と、基板上にあるTiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Al2O3およびHfO2からなる群から選択される材料を含む第1のバリア膜と、第1のバリア膜上にあるイリジウムおよび酸素を含む第1の複合膜とを備え、それによって第1の複合膜は酸素雰囲気中での高温熱処理後も導電性を有する。

請求項（抜粋）：

集積回路において、高温で安定な導電性バリアであって、基板と、該基板上にあるTiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Al2O3およびHfO2からなる群から選択される材料を含む第1のバリア膜と、該第1のバリア膜上にあるイリジウムおよび酸素を含む第1の複合膜と、を備え、それによって該第1の複合膜は酸素雰囲気中での高温熱処理後も導電性を有する、高温で安定な導電性バリア。

IPC (11件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/08

FI (7件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/08 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体容量素子構造および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-140384   出願人：日本電気株式会社
• 高誘電キャパシタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-002602   出願人：三星電子株式会社