磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-369170
公開番号（公開出願番号）：特開2006-179566
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2006年07月06日
要約：

【課題】狭トラック幅においても十分なバイアス磁界を確保でき、自由層のトラック幅方向における隣接位置の両方に軟磁性層を配置しサイドシールド効果を持たせるインスタックバイアス方式の利点を生かし、固定層の磁化により直交した方向に、十分な大きさの静磁界バイアスを自由層に対して与えることができるMR素子の提供。【解決手段】固定層と、この固定層上に積層された非磁性中間層と、この非磁性中間層上に積層された自由層とを備えているMR素子であって、自由層上に形成された非磁性膜とこの非磁性膜上に形成されており自由層にバイアス磁界を印加するための強磁性膜とを備えた第1のバイアス層と、この第1のバイアス層上に形成され、この第1のバイアス層のパターン長よりも大きいパターン長を有しこの第1のバイアス層内の強磁性膜の磁化方向を固定するためのバイアスアシスト部を備えた第2のバイアス層とを備えているMR素子を提供する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定されている磁化固定層と、該磁化固定層上に積層された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に積層されており印加される磁界に応じて磁化方向が可変の磁化自由層とを備えている磁気抵抗効果素子であって、前記磁化自由層上に形成されたバイアス非磁性膜と、該バイアス非磁性膜上に形成されており前記磁化自由層にバイアス磁界を印加するための強磁性膜とを備えた第1のバイアス層と、前記第1のバイアス層上に形成されており、該第1のバイアス層のパターン長よりも大きいパターン長を有しており該第1のバイアス層内の前記強磁性膜の磁化方向を固定するためのバイアスアシスト部を備えた第2のバイアス層とを備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01L 43/12

FI (4件)：

H01L43/08 B , H01L43/08 Z , G11B5/39 , H01L43/12

Fターム (6件)：

5D034BA04 , 5D034BA12 , 5D034BB12 , 5D034CA05 , 5D034CA08 , 5D034DA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

磁気検出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-066594 出願人：アルプス電気株式会社

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