特許

J-GLOBAL ID：200903048630180021

フッ化物単結晶の熱処理方法及び製造方法

発明者： 水垣 勉 ,  高野 修一
出願人/特許権者： 株式会社ニコン ,  応用光研工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202072
公開番号（公開出願番号）：特開2000-034193
出願日： 1998年07月16日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】 高精度な光学系に使用できるフッ化カルシウム単結晶を得るための、熱処理方法及び製造方法を提供すること。【解決手段】 フッ化物単結晶の表面の吸着物または付着物を除去する表面清浄工程と、前記吸着物または付着物が除去されたフッ化物単結晶を加熱保持後、徐々に冷却する熱処理工程と、前記熱処理によりフッ化物単結晶の表面に形成される変質層を除去する変質層除去工程と、を有するフッ化物単結晶の熱処理方法。

請求項（抜粋）：

フッ化物単結晶の表面の吸着物または付着物を除去する表面清浄工程と、前記吸着物または付着物が除去されたフッ化物単結晶を加熱保持後、徐々に冷却する熱処理工程と、を有するフッ化物単結晶の熱処理方法。

IPC (4件)：

C30B 29/12 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/02 ,  H01S 5/30

FI (4件)：

C30B 29/12 ,  C30B 33/02 ,  G02B 1/02 ,  H01S 3/18

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE02 ,  4G077CD04 ,  4G077EG25 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FG01 ,  4G077FG05 ,  4G077FG11 ,  4G077HA01 ,  5F073DA16

引用特許：

審査官引用 (9件)

• フッ化物結晶及びフッ化物結晶レンズの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-030184   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平1-122999
  
• 特開平3-215400
  
• 半導体製造装置の熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019758   出願人：国際電気株式会社
• 結晶の熱処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106961   出願人：住友電気工業株式会社
• 特開昭60-171300
  
• 特開平1-122999
  
• 特開平3-215400
  
• 特開昭60-171300