特許

J-GLOBAL ID：200903048636049318

光半導体電極、および光電変換装置

発明者： 井波 かづき ,  今井 彰 ,  山口 康浩
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-288066
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100417
出願日： 2000年09月22日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 光(例えば太陽光)を効率的に利用可能で、光電変換効率、安定性および耐久性等に優れ、安価にかつ容易に製造し得る光半導体電極、光電変換装置を提供すること。【解決手段】金属酸化物半導体表面に、色素分子とHOMO(最高被占軌道)のエネルギーレベルが-7.5eV以上である分子とが結合した超分子を担持してなることを特徴とする光半導体電極、および光電変換装置である。

請求項（抜粋）：

金属酸化物半導体表面に、色素分子とHOMO(最高被占軌道)のエネルギーレベルが-7.5eV以上である分子とが結合した超分子を担持してなることを特徴とする光半導体電極。

IPC (3件)：

H01M 14/00 ,  C09B 57/10 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01M 14/00 P ,  C09B 57/10 ,  H01L 31/04 Z

Fターム (9件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032EE06 ,  5H032EE16 ,  5H032EE17 ,  5H032EE20 ,  5H032HH08